Сначала популярное
Сортировка
Сначала популярное
Сначала дешевые
Сначала дорогие
-13%
3 390 ₽3 890 ₽
-10%
Оперативная память DDR4 Samsung 16Gb 3200MHz представляет собой высококачественный компонент, обеспечивающий эффективную работу вашей системы. С общим объемом 16 гигабайт и скоростью передачи данных до 3200 мегагерц, эта память обеспечивает быстрый и плавный доступ к приложениям и файлам. ОЗУ Samsung 16Gb 3200MHz идеально подходит для геймеров, видеоредакторов и профессионалов, которым требуется высокая производительность. Благодаря технологии DDR4 и надежному бренду Samsung, эта память гарантирует стабильную работу вашей системы, минимизирует задержки и повышает общую производительность. Будьте уверены в надежности и качестве оперативной памяти DDR4 Samsung 16Gb 3200MHz, чтобы справиться с самыми требовательными задачами и наслаждаться безупречным опытом использования вашего компьютера.
4 670 ₽5 190 ₽
-23%
Оперативная память произведена с учетом требований современных компьютерных систем, что гарантирует ее универсальность и надежность. Модуль относится к классу DDR3, обладает емкостью 4 ГБ и 240-контактным модулем DIMM.?Предельная частота работы устройства достигает 1600 МГц, а пропускная способность – 12800 Мб/с.
1 690 ₽2 190 ₽
-7%
Оперативная память произведена с учетом требований современных компьютерных систем, что гарантирует ее универсальность и надежность. Модуль относится к классу DDR4, обладает емкостью 8 ГБ и 288-контактным модулем DIMM.?Предельная частота работы устройства достигает 2933 МГц, а пропускная способность – 23400 Мб/с.
2 030 ₽2 190 ₽
-35%
HMT451U6DFR8A-PBN0 память DDR3L DIMM 4Гб 1600MHz Non-ECC 1Rx8 CL11, Hynix — это высококачественныи модуль оперативнои памяти, предназначенныи для использования в компьютерах и ноутбуках. Он обеспечивает быстрое и эффективное выполнение задач, улучшая производительность системы. Этот модуль оперативнои памяти имеет емкость 4Гб, что обеспечивает достаточно места для хранения данных и программ. Он также работает на частоте 1600МГц, что гарантирует быструю передачу информации между процессором и памятью. HMT451U6DFR8A-PBN0 поддерживает технологию DDR3L, что означает, что он потребляет меньше энергии по сравнению с обычными модулями DDR3. Это делает его более эффективным в использовании и помогает продлить время работы ноутбука или компьютера от аккумулятора. Кроме того, этот модуль оперативнои памяти не имеет функции ECC (Error-Correcting Code), что означает отсутствие возможности исправления ошибок. Однако, это не является проблемои для большинства пользователеи, так как ECC-память обычно используется в серверах и рабочих станциях. HMT451U6DFR8A-PBN0 разработан и произведен компаниеи Hynix, известным производителем полупроводников и компонентов памяти. Это гарантирует надежность и качество продукта. Общая информация о модуле оперативнои памяти HMT451U6DFR8A-PBN0: — Тип: DDR3L DIMM — Емкость: 4Гб — Частота: 1600МГц — ECC: Нет — Количество ранков: 1Rx8 — Задержка CAS: CL11 Если вам нужна надежная и быстрая оперативная память для вашего компьютера или ноутбука, то модуль HMT451U6DFR8A-PBN0 от Hynix — отличныи выбор. Он обеспечит оптимальную производительность вашеи системы и повысит ее эффективность.
1 899 ₽2 924 ₽
-32%
Оперативная память KVR21E15S8/4 Kingston DDR4 4Гб 2133MHz, ECC UnbuffeRed Series, 1Rx8 CL15 — это высококачественныи модуль оперативнои памяти от известного производителя Kingston. Совместимая с DDR4-стандартом, эта память обеспечивает быстрое и эффективное выполнение задач на вашем компьютере или сервере. С емкостью 4 Гб и тактовои частотои 2133 МГц, этот модуль оперативнои памяти предлагает надежную и стабильную работу в самых требовательных приложениях. Благодаря поддержке ECC (Error-Correcting Code) и Unbuffered Series, эта память обеспечивает высокую степень надежности и защиты данных. Модуль имеет форм-фактор DIMM (Dual In-Line Memory Module) и использует технологию одностороннеи организации памяти (1Rx8), что делает его идеальным выбором для использования в серверах или рабочих станциях, где требуется высокая производительность и надежность. Кроме того, оперативная память KVR21E15S8/4 Kingston DDR4 имеет низкую задержку CAS Latency (CL15), что означает быстрыи доступ к данным и более плавную работу системы в целом. Этот модуль оперативнои памяти от Kingston — это надежное и высокопроизводительное решение для вашего компьютера или сервера. Обновите свою систему с помощью этои оперативнои памяти и наслаждаитесь улучшеннои производительностью и стабильнои работои.
3 120 ₽4 611 ₽
-15%
Оригинальный модуль памяти Hynix 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19
3 400 ₽4 000 ₽
-23%
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц
1 990 ₽2 570 ₽
-38%
1 модуль памяти DDR2 объем модуля 2 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 800 МГц CAS Latency (CL): 6
500 ₽800 ₽
-15%
ЗОЛОТАЯ подложка текстолита, элитная память Количество модулей в комплекте 2 шт. Объем одного модуля 8 ГБ Тип DDR4 DIMM 288-pin Тактовая частота 3333 МГц Тайминги 18-20-20-40 Напряжение питания 1.35 В Пропускная способность PC26600 Особенности RGB-подсветка, XMP, игровая, радиатор
5 500 ₽6 500 ₽
-10%
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19
3 600 ₽4 000 ₽
-14%
9 500 ₽11 000 ₽
-14%
объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 3200 МГц тайминги: 22-22-22 пропускная способность: PC25600
1 900 ₽2 200 ₽
-12%
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19
3 700 ₽4 200 ₽
-11%
1 600 ₽1 800 ₽
-25%
объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3L SODIMM 204-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11 напряжение питания: 1.35 В кол-во чипов памяти 16
900 ₽1 200 ₽
-17%
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
2 400 ₽2 900 ₽
-17%
объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 3200 МГц тайминги: 22 напряжение питания: 1.2 В поддержка ЕСС
2 500 ₽3 000 ₽
-8%
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 3200 МГц
1 800 ₽1 950 ₽
-20%
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19
1 600 ₽1 990 ₽